硅探測器

型號名稱

SI190紫外增強硅探測器

SI300硅探測器

感光面積

100(10×10) mm2

100(10×10) mm2

波長使用范圍

190-1100 nm

300-1100 nm

峰值波長

960 nm

800±20 nm

峰值波長響應度

0.5 A/W

>0.4 A/W

200nm的響應度

0.1-0.12 A/W

-------

響應時間

3µs

-------

工作溫度范圍

-20～+60℃

-------

儲存溫度范圍

-20～+80℃

-------

分流電阻

200(>50) MΩ

-------

等效噪聲功率

1.8×10-14W/√Hz

-------

暗電流（25℃；-1V）

2×10-10 A

1×10-8-5×10-11 A

結(jié)電容

1100 pf（VR =0V,f=10KHz）

<3000 pf (-10V)

重量

0.18kg

0.18kg